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分享半導體行業媒體最新資訊，開展行業的技術交流、思想碰撞、信息互換、資料查詢等，以市場趨勢為導向、以客戶滿意為結果，銳意進取持續發展。

更新日期： 2024-10-26
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據“九峰山實驗室”官方消息，2024年9月，該實驗室在硅光子集成領域取得里程碑式突破性進展——成功點亮集成到硅基芯片內部的激光光源，這也是該項技術在國內的首次成功實現。顯微鏡下，片上光源芯片的光輸出視頻隨著人工智能大模型的開發和應用，以及自動駕駛等技術的發展，對于芯片算力的需求持……

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國產電動汽車拿下全球66%市場，但90%芯片仍依賴進口！

更新日期： 2024-10-26
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據《經理人》援引研究機構Rho Motion的最新調查數據報道稱，2024年9月，全球電動汽車市場總計售出170萬輛電動車，創下新的銷售紀錄。其中，以中國電動汽車市場表現最突出，單月銷售110萬輛刷新紀錄，幾乎占全球市場66%的份額。 2024年初至9月底，全球共賣出1,150萬輛電動車，其中國市場銷量高達720……

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英偉達2024年將出貨10億個RISC-V 內核

更新日期： 2024-10-26
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10月25日消息，據Tomshardware援引@NickBrownHPC 的爆料稱，盡管英偉達（NVIDIA）的 GPU 依賴于其專有的 CUDA 內核，這些內核具有其指令集架構并支持各種數據格式。但是在本月的RISC-V峰會上，英偉達透露，這些內核由依賴于行業標準 RISC-V ISA 的定制內核控制，盡管有一些擴……

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EMMI在半導體器件失效分析的重要性

更新日期： 2024-10-24
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失效分析的目的是通過技術手段找出器件失效的根本原因，并推動改進措施的實施，從而提升生產工藝、改善產品質量、提高良率和可靠性。EMMI是在失效分析過程中經常使用的設備之一，它們能夠幫助分析人員檢測電氣故障，并定位失效的具體位置。 1. EMMI的基本原理 EMMI（Electro-Magnetic Induc……

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CP測試和WAT測試的區別

更新日期： 2024-10-23
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在集電路的制造和測試過程中，CP測試（Chip Probing）和WAT測試（Wafer Acceptance Test）是兩個非常重要的測試環節。盡管它們都在晶圓（Wafer）階段進行，但二者的目的、測試對象、測試內容和作用是有顯著不同的。一、整體概述：CP測試和WAT測試我們可以把集成電路的制造過程……

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一文讀懂探針卡的概念、組成、分類以及應用

更新日期： 2024-10-23
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探針卡（Probe Card）在集成電路測試中起著至關重要的作用，尤其在晶圓測試（wafer test）環節，探針卡作為連接ATE測試機臺和半導體晶圓之間的接口，確保了在芯片封裝前對其電學性能進行初步測量和篩選。 1. 什么是探針卡？探針卡可以形象地比作“醫生的聽診器”，幫助工程師“聽到”芯片的“心跳”。……

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為什么研發EUV光刻機那么難？

更新日期： 2024-10-23
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雖然表面上看，光刻機是半導體制造的工具之一，但它的背后涉及復雜的多學科交叉與全球化合作。 1. 極端紫外光源的挑戰：就像尋找“完美的燈泡” EUV光刻機依賴于波長僅為13.5納米的極端紫外線（EUV）光源，而這種光源的產生與控制是最大的技術挑戰之一。你可以把EUV光源想象成一個非常難以控制的“燈泡”，但這個……

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SOC設計的核心思想、優勢以及跟系統級封裝的對比

更新日期： 2024-10-22
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SoC（ on Chip）作為芯片設計的主流，已經成為現代集成電路技術發展的核心。 1、SoC設計的核心思想從結構上來看，SoC可以理解為把一個完整系統的所有功能電路都設計并集成在一個芯片中，形成一個高度集成的單元。傳統的電子系統設計通常是將不同的功能模塊分別制作成獨立的芯片，然后通過電路板上的連接將這些芯片集成到一個系統中。而SoC技術則直接將這些模塊在芯片制造時集成在一起，形成一個系統化的單芯片解決方案。我們可以用“多合一工具”來形象化這個過程。傳統的電子設計就像是你在使

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SOC跟SIP（系統級封裝）的區別在哪里？

更新日期： 2024-10-22
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SoC（系統級芯片）與SiP（系統級封裝）兩種技術都是現代集成電路發展的重要里程碑，它們都能實現電子系統的小型化、高效化和集成化。一、SoC（系統級芯片）和SiP（系統級封裝）的定義及基本思路 SoC（System on Chip）——將整個系統“擠”進一個芯片 SoC 就像一棟高樓，把所有的功能模塊都設計、集成到同一個物理芯片上。SoC的核心思想是將整個電子系統的核心部件，包括處理器（CPU）、存儲器、通信模塊、模擬電路、傳感器接口等多種不同功能模塊全部集成在一個芯片上。SoC的優勢

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晶圓工藝優化或失效分析相關術語

更新日期： 2024-10-15
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1. Defect “Defect”指的是在晶圓生產過程中出現的缺陷，可能是由于工藝不穩定、設備問題或材料瑕疵導致的。這些缺陷可能包括顆粒污染、圖形失真、晶體結構破損等，都會影響最終產品的質量。通俗解釋：就是生產過程中出現的“瑕疵”或“不良”，這些問題可能影響芯片的正常功能。 2. Fail ……

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干法刻蝕的原理、工藝流程、評價參數及應用

更新日期： 2024-10-15
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RIE干法刻蝕技術憑借其優越的各向異性刻蝕能力和良好的選擇比控制，已成為半導體制造中不可或缺的核心工藝。一、RIE干法刻蝕技術的基本原理 RIE（Reactive Ion Etching，反應離子刻蝕）作為一種主流的干法刻蝕技術，通過等離子體中的活性物質對材料表面進行選擇性刻蝕，以達到精確移除材料的目的。圖：干法刻蝕概要 RIE刻蝕技術屬于一種等離子體輔助的干法刻蝕工藝。刻蝕過程中，通過在反應腔內引入刻蝕氣體并施加射頻電場，在電場作用下刻蝕氣體被電離和激發，形成等離子體

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如何理解晶圓制造中的Second Source

更新日期： 2024-10-15
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在半導體制造和晶圓工藝設備維護中，"Second Source"（二次來源）指的是使用非原廠供應商生產的零件或耗材來替代原廠零件。這種策略有助于降低成本、減少對單一供應商的依賴，同時確保制造的持續性和靈活性。 1. 什么是Second Source？ Second Source是指在生產制造過程中，為了降低……

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