LS（低側(cè)）側(cè)SiC MOSFET在Turn-on和Turn-off時(shí)的VDS和ID變化方式不同。在討論SiC MOSFET的這種變化對(duì)Gate-Source電壓（VGS）的影響時(shí)，需要考慮包括SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路在內(nèi)的等效電路。

下圖展示了最基本的柵極驅(qū)動(dòng)電路和SiC MOSFET的等效電路。柵極驅(qū)動(dòng)電路包括柵極信號(hào)（VG）、SiC MOSFET內(nèi)部的柵極線路內(nèi)阻（RG_INT）、封裝的源極電感量（LSOURCE）、柵極電路局部產(chǎn)生的電感量（LTRACE）和外加?xùn)艠O電阻（RG_INT）。

在等效電路圖中，以柵極電流（IG）和漏極電流（ID）的方向?yàn)檎栽礃O引腳為基準(zhǔn)來定義VGS和VDS的極性。

SiC MOSFET內(nèi)部的柵極線路中也存在電感量，但相比LTRACE較小，因此可以忽略。

導(dǎo)通(Turn-on) / 關(guān)斷(Turn-off)動(dòng)作

為了理解橋式電路的Turn-on和Turn-off動(dòng)作，以下對(duì)上述文章中提到的SiC MOSFET的電壓和電流波形進(jìn)行詳細(xì)說明，這些波形與前述相同，結(jié)合等效電路圖進(jìn)行解釋。

當(dāng)LS側(cè)的柵極信號(hào)施加正向VG使LS側(cè)ON時(shí)，Gate-Source間電容（CGS）開始充電，VGS升高，當(dāng)達(dá)到SiC MOSFET的柵極閾值電壓（VGS(th)）以上時(shí)， LS的ID開始流動(dòng)，同時(shí)從源極流向漏極的HS側(cè)ID開始減少（波形圖T1）。

接著，當(dāng)HS側(cè)的ID變?yōu)榱闱壹纳O管Turn-off時(shí)，中間點(diǎn)電壓（VSW）開始下降，同時(shí)對(duì)HS側(cè)的Drain-Source間電容（CDS）及Drain-Gate間電容（CGD）進(jìn)行充電（波形圖T2）。充電（LS側(cè)放電）完成后，當(dāng)LS側(cè)的VGS達(dá)到指定電壓值，LS側(cè)的Turn-on動(dòng)作完成。

Turn-off動(dòng)作從LS側(cè)VG OFF時(shí)開始，LS側(cè)的CGS蓄積電荷開始放電，當(dāng)達(dá)到SiC MOSFET的平臺(tái)電壓（進(jìn)入米勒效應(yīng)區(qū)）時(shí)，LS側(cè)的VDS開始上升，同時(shí)VSW上升。

在這個(gè)時(shí)間點(diǎn)，大部分負(fù)載電流仍在LS側(cè)流動(dòng)（波形圖T4），HS側(cè)的寄生二極管還沒有開始導(dǎo)通。LS側(cè)的充電（HS側(cè)放電）完成后，VSW超過輸入電壓（E），HS側(cè)的寄生二極管Turn-on，LS側(cè)的ID開始流向HS側(cè)（波形圖T5）。

LS側(cè)的ID最終變?yōu)榱悖M(jìn)入死區(qū)時(shí)間（波形圖T6），當(dāng)正向VG被施加到HS側(cè)MOSFET的柵極信號(hào)時(shí)Turn-on，進(jìn)入同步工作時(shí)間（波形圖T7）。