英飞凌IGBT 模块共有八个耐压等级供用户选择:
400 V 600V 650V 1200V 1700V 3300V 4500V 6500V
其中每种耐压等级又有多种芯片类型供用户选择.可以按开关频率,从型号后缀进行区分。
英飞凌(Infineon),优派克(eupec)
600V系列英飞凌igbt
1200V系列英飞凌igbt
1600V系列英飞凌igbt
1700V系列英飞凌igbt
3300V系列英飞凌igbt
6500V系列英飞凌igbt
DN2系列:频率范围10KHZ-20KHZ,饱和压降:2.5V-3.1V
DN2系列:频率范围4KHZ-8KHZ,饱和压降:2.1V-2.4V
KS4系列:频率范围15KHZ-30KHZ,饱和压降:3.2V-3.85V
KE3系列:频率范围4KHZ-10KHZ,饱和压降:1.7V-2.0V
KT3系列:频率范围8KHZ-15KHZ,饱和压降:1.7V-1.9V
EUPEC IGBT器件(含税价,IGBT型号中的电流值按TC=80℃时标称,后面电流值按TC=25℃时标称)
1、两单元――1200V/1700V/3300V/6500V系列
2、两单元――600V系列
3、六单元(低饱和压降型)
4、功率集成模块(三相桥+七单元+温度传感器
5、一单元--1200V/1700V
6、四单元 (H桥 30KHZ高频)
英飞凌 IGBT单管 600V/1200V
特点:
☆采用沟槽栅+电场终止层(Field stop)IGBT工艺技术
☆参数离散性小,便于批量生产使用
☆可靠性高,高温性能稳定,特性优异,具有*优的性能价格比
☆型号中电流按Tc=100℃时标称,有效使用电流大
☆600V IGBT单管*大工作结温可达Tjmax≤175℃
☆内置反并联软、快恢复(Emcon)高效二极管
☆正温被系数饱和压降易于并联
五、英飞凌 快恢复二极管 600V/1200V
特点:
☆Infineon砖利技术生产(Emcon)快速软恢复二极管;反向恢复软度因子 S<4.4
☆低反向恢复电荷 Qrr<2900nc
☆低正向导通压降:VF=1.5V 且不随温度升高而升高,易于并联.
☆*高工作结温高达 Tj=175℃ 高温特性好
6500V系列
产品型号 |
Ic(A) |
Vce(sat) |
ton |
toff |
Rth(j-c) |
封装 |
Tc=80℃ |
Max(V) |
(us) |
(us) |
K/W |
||
FZ200R65KF2 |
200 |
5.9 |
0.75 |
5.5 |
0.033 |
IHV 73mm |
FZ200R65KF1 |
200 |
5.9 |
0.75 |
5.5 |
0.033 |
IHV 73mm |
FZ400R65KF2 |
400 |
5.9 |
0.75 |
5.5 |
0.017 |
IHV 130mm |
FZ400R65KF1 |
400 |
5.9 |
0.75 |
5.5 |
0.017 |
IHV 130mm |
FZ600R65KF2 |
600 |
5.9 |
0.75 |
5.5 |
0.011 |
IHV 190mm |
FZ600R65KF1 |
600 |
5.9 |
0.75 |
5.5 |
0.011 |
IHV 190mm |
FD200R65KF1-K |
200 |
5.9 |
0.75 |
5.5 |
0.033 |
IHV 130mm |
FD400R65KF1-K |
400 |
5.9 |
0.75 |
5.5 |
0.017 |
IHV 190mm |
DD200S65K1 |
200 |
- |
- |
- |
0.063 |
IHV 130mm |
DD400S65K1 |
400 |
- |
- |
- |
0.032 |
IHV 130mm |
DD600S65K1 |
600 |
- |
- |
- |
0.021 |
IHV 130mm |