电子束光刻机-翁开尔公司

电子束光刻机ZEL304G采用场发射电子枪，配合一体化的高速图形发生系统实现对半导体晶圆的高速、高分辨光刻。该系统标配高精度激光干涉样品台，允许用户实现大行程高精度拼接和套刻需求，在新材料、前沿物理研究、半导体、微电子、光子、量子研究领域发挥重要作用。

电子束光刻机ZEL304G

激光干涉样品台

先进的激光干涉样品台，满足大行程高精度拼接和套刻需求

场发射电子枪

高分辨场发射电子枪是光刻质量的重要保证

图形发生器

一体化的高速图形发生系统，允许用户快速、便捷地刻蚀复杂图案

技术参数	说明
样品台指标
标配	激光干涉样品台
样品台行程	≥105 mm
拼接精度	优于50nm(平均值+1σ)
套刻精度	优于50nm(平均值+1σ)
电子枪及成像指标
肖特基场发射电子枪	加速电压20V~30kV;旁侧二次电子探测器和镜筒内电子探测器
图像分辨率	≤1 nm @ 15 kV; ≤1.5 nm @ 1 kV
束流密度	＞7000A/cm2:电子束流≥100nA
最小束斑尺寸	≤2nm
光刻指标
电子束闸	上升沿<100ns
写视场	≥500x500 um
最小单次曝光线宽	<15nm(同时取决于工艺条件)
扫描速度	≥20MHz

电子束光刻机