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产品简介
Intense**的QWI技术可以增大半导体激光器的量子阱能带隙,可在同*腔内产生有源区和无源区,并在腔面形成*种无源吸收反射镜(NAMs),可有*地避免其他半导体激光器件常见的光学灾变(COMD),性能更可靠稳定。产品包括:*功率可见光和近红外半导体激光器器件和阵列,可*立寻址的半导体激光器阵列。
主要特点
·量子阱混合技术、300个*立控制发射单元
·波长808, 830, 980 nm,单路功率<160mW
·节约成本、*可靠性
·应用包括直接打印、激光打标系统