用心制造 品質(zhì)可靠 您想要的都在這里
型號(hào)：PHI Genesis 900
型號(hào)：PHI 710
型號(hào)：PHI nano TOF3+
型號(hào)：PHI Genesis 500
型號(hào)：C60 40
型號(hào)：C60 20
型號(hào)：C60 20S
型號(hào)：GCIB 10S
以用戶(hù)為中心 以人才為根本 努力實(shí)現(xiàn)你我共贏(yíng)
束蘊(yùn)儀器（上海）有限公司自成立以來(lái)，憑借與德國(guó)布魯克（BRUKER）、衍射數(shù)據(jù)中心(ICDD)、德國(guó)Freiberg等實(shí)驗(yàn)室分析儀器品牌的戰(zhàn)略合作，迅速成為業(yè)界儀器供應(yīng)商。我們擁有一支積極樂(lè)觀(guān)，正直誠(chéng)信的年輕團(tuán)隊(duì)，我們熱忱的信仰科學(xué)，相信科學(xué)技術(shù)能為我們的客戶(hù)帶來(lái)高品質(zhì)的生活，為社會(huì)的進(jìn)步起到積極的促進(jìn)作用。束蘊(yùn)儀器為各類(lèi)客戶(hù)提供優(yōu)質(zhì)的實(shí)驗(yàn)室和工業(yè)檢測(cè)儀器及過(guò)程控制設(shè)備，專(zhuān)業(yè)的應(yīng)用支持及完善的售后服務(wù)，在中國(guó)大陸的諸多領(lǐng)域擁有大量用戶(hù)，如高校、科研院所、航空航天，政府組織、檢驗(yàn)機(jī)構(gòu)、及工業(yè)企業(yè)。...
進(jìn)一步提高公司的技術(shù)、質(zhì)量和服務(wù)
X射線(xiàn)三維成像系統(tǒng)是實(shí)驗(yàn)室中常用的設(shè)備，主要用于樣品的內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析。這種設(shè)備在使用過(guò)程中，需要注意養(yǎng)護(hù)，以保證其正常工作和使用壽命。以下是一些養(yǎng)護(hù)細(xì)節(jié)：1.清潔：X射線(xiàn)三維成像系統(tǒng)的外部和內(nèi)部都應(yīng)保持清潔。外部可以用軟布擦拭，內(nèi)部則需用專(zhuān)用的清潔劑和工具進(jìn)行清潔。特別注意不要讓灰塵和雜質(zhì)進(jìn)入設(shè)備內(nèi)部，否則可能會(huì)影響設(shè)備的性能。2.溫度和濕度：設(shè)備應(yīng)存放在溫度和濕度適宜的環(huán)境中。過(guò)高或過(guò)低的溫度都可能影響設(shè)備的正常工作，濕度過(guò)高可能會(huì)導(dǎo)致設(shè)備內(nèi)部的電路短路。3.電源：設(shè)備的電源...
衍射圖，討論二對(duì)于非缺面孿晶導(dǎo)致|Fo|不對(duì)的問(wèn)題，如果我們養(yǎng)成了良好的習(xí)慣：對(duì)于所有的晶體都應(yīng)在RLATT里檢查倒易點(diǎn)陣的排列，那么我們就會(huì)馬上去發(fā)現(xiàn)晶體的問(wèn)題。然而除了非缺面孿晶，晶體的問(wèn)題還包括很多，比如超晶格，調(diào)制結(jié)構(gòu)（周期或者非周期的衛(wèi)星衍射點(diǎn)），彌散的衍射信號(hào)等。但是單晶衍射數(shù)據(jù)處理的過(guò)程中，通常是基于定出的晶胞對(duì)有限的數(shù)據(jù)進(jìn)行還原，而不是所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)，所以很多被排除在外的信號(hào)其實(shí)表示了晶體內(nèi)含的一些結(jié)構(gòu)性質(zhì)。而這些在hkl文件并不會(huì)體現(xiàn)出來(lái)。從某種意義上說(shuō)，單晶...
衍射圖，討論一關(guān)于很多同學(xué)眼中的“鬼峰”，我們看過(guò)了“答案”起源于基本的數(shù)據(jù)處理（數(shù)據(jù)還原和數(shù)據(jù)校正）對(duì)|Fo|的影響。很多時(shí)候在遇到偏大的Q峰的時(shí)候，不管是一些審稿人還是學(xué)生，都會(huì)馬上去想到“吸收校正”（不知道這個(gè)想法起源于何處），然后很多同學(xué)會(huì)莫名地把90%的原因歸結(jié)于此。甚至在沒(méi)有看過(guò)數(shù)據(jù)的情況下，立刻的回答就是去做吸收校正。然而對(duì)于常見(jiàn)的莫名其妙的鬼峰的原因，比如晶體和測(cè)試的問(wèn)題，卻常常被忽略。這里面的原因有很多，我相信大多數(shù)同學(xué)拿到手的數(shù)據(jù)都只是hkl，而不是衍射圖...
引言寬帶隙鈣鈦礦（1.68eV）是兩端鈣鈦礦/硅疊層太陽(yáng)電池的重要前電池吸光材料。然而，這類(lèi)寬帶隙鈣鈦礦太陽(yáng)電池中存在大量缺陷誘導(dǎo)的非輻射電荷復(fù)合，導(dǎo)致器件開(kāi)路電壓（VOC）遠(yuǎn)低于理論值，嚴(yán)重限制了器件效率的進(jìn)一步提升。深能級(jí)受體缺陷是影響VOC的主要因素，缺陷鈍化是提供器件效率的有效策略。TOF-SIMS應(yīng)用成果近日，陜西師范大學(xué)方志敏&馮江山&劉生忠團(tuán)隊(duì)通過(guò)采用氟化物輔助表面梯度鈍化的策略獲得了光電轉(zhuǎn)換效率（PCE）高達(dá)21.63%，VOC達(dá)1.239V（VOC損失低至4...
回顧2022年，ULVAC-PHI各個(gè)系列的XPS儀器——VersaProbe、Quantera和Quantes對(duì)科研發(fā)展和技術(shù)進(jìn)步做出了重要貢獻(xiàn)。據(jù)統(tǒng)計(jì)，借助PHIXPS設(shè)備，2022年已發(fā)表超過(guò)4400篇的學(xué)術(shù)出版物，包括期刊文章和書(shū)籍等。其中，有99項(xiàng)工作發(fā)表在《Nature》和《Science》等高影響力期刊上。例如，我們的用戶(hù)利用PHIVersaProbe設(shè)備對(duì)嵌入磁性CoNi合金顆粒的摻氮碳纖維復(fù)合材料表面進(jìn)行了表征，研究發(fā)現(xiàn)該材料表現(xiàn)出優(yōu)異的電磁波吸收性能。該項(xiàng)...
引言光伏發(fā)電新能源技術(shù)對(duì)于實(shí)現(xiàn)碳中和目標(biāo)具有重要意義。近年來(lái)，基于有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化鈣鈦礦的光電太陽(yáng)能電池器件取得了飛速的發(fā)展，目前報(bào)道的光電轉(zhuǎn)化效率已接近26%。鹵化物鈣鈦礦材料具有無(wú)限的組分調(diào)整空間，因此表現(xiàn)出優(yōu)異的可調(diào)控的光電性質(zhì)。然而，由于多組分的引入，鈣鈦礦材料生長(zhǎng)過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)多相競(jìng)爭(zhēng)問(wèn)題，導(dǎo)致薄膜初始組分分布不均一，這嚴(yán)重降低了器件效率和壽命。圖1.鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)TOF-SIMS應(yīng)用成果由于目前用于高性能太陽(yáng)能電池的混合鹵化物過(guò)氧化物中的陽(yáng)離子和陰離子的混合物經(jīng)常發(fā)生...
XPS的探測(cè)深度在10nm以?xún)?nèi)，然而對(duì)于實(shí)際的器件，研究對(duì)象往往會(huì)超過(guò)10nm的信息深度，特別是在一些電氣設(shè)備中，有源層總是被掩埋在較厚的電極之下。因此，利用XPS分析此類(lèi)樣品，需要結(jié)合離子刻蝕技術(shù)。顯然，離子刻蝕存在擇優(yōu)濺射效應(yīng)，特別是對(duì)于金屬氧化物，會(huì)破壞樣品原始的化學(xué)態(tài)，導(dǎo)致只憑常規(guī)XPS無(wú)法直接對(duì)埋層區(qū)域進(jìn)行無(wú)損深度分析。好在研究表明增加X(jué)射線(xiàn)的光子能量可以增加探測(cè)深度。對(duì)此，ULVAC-PHI推出了實(shí)驗(yàn)室HAXPES設(shè)備，且可同時(shí)配備微聚焦單色化AlKα(1486....
XRR是什么?XRR是一種方便、快速的分析單層或多層薄膜和表面的方法，是一種納米尺度上的分析方法，同時(shí)可實(shí)現(xiàn)無(wú)損分析。例如，通過(guò)原子層沉積(ALD)技術(shù)沉積的薄膜可以用XRR表征薄膜的厚度、密度和界面的粗糙度，同樣也適用于其他方法制備的薄膜，如通過(guò)分子層沉積(MLD)沉積的有機(jī)/無(wú)機(jī)超晶格。與光學(xué)橢偏法不同，該方法不需要預(yù)先了解薄膜的光學(xué)性質(zhì)，也不需要假設(shè)薄膜的光學(xué)性質(zhì)。然而，XRR不能提供有關(guān)材料晶體結(jié)構(gòu)的信息，并且多層膜只能在有限的深度內(nèi)表征。XRR簡(jiǎn)單原理介紹XRR分析...
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