SOPHI-400 離子注入設備
- 公司名稱 深圳市矢量科學儀器有限公司
- 品牌 ULVAC/日本愛發(fā)科
- 型號 SOPHI-400
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
- 更新時間 2024/9/6 11:12:16
- 訪問次數(shù) 367
聯(lián)系方式:謝澤雨 查看聯(lián)系方式
聯(lián)系我們時請說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!
1 產(chǎn)品概述:
離子注入設備,又稱為離子注入機,是半導體制造中的關鍵設備之一。它通過將可控數(shù)量的離子(如硼、磷、砷等)加速并注入到半導體材料(如硅片)的特定區(qū)域,以改變其電學性能,實現(xiàn)摻雜的目的。離子注入技術具有精確控制摻雜深度、濃度和橫向分布的能力,是現(xiàn)代集成電路制造中一環(huán)。
離子注入設備主要由離子源、離子引出和質(zhì)量分析器、加速管、掃描系統(tǒng)和工藝腔等部分組成。離子源負責產(chǎn)生所需的離子,經(jīng)過質(zhì)量分析器篩選后,由加速管加速至幾百千電子伏特的能量,最后通過掃描系統(tǒng)均勻地注入到硅片表面。工藝腔則提供了一個真空環(huán)境,確保離子注入過程的順利進行。
2 設備用途:
離子注入設備在半導體制造領域具有廣泛的用途,主要包括以下幾個方面:
集成電路制造:在制造集成電路的過程中,離子注入技術用于形成晶體管的源極、漏極和溝道等關鍵區(qū)域,以及實現(xiàn)電路的隔離和互聯(lián)。
金屬材料表面改性:通過離子注入技術,可以在金屬材料表面形成一層具有特殊性能的改性層,如提高耐磨性、耐腐蝕性和硬度等。
薄膜制備:離子注入技術還可以用于制備具有特定性能的薄膜材料,如超導薄膜、光學薄膜等。
3 設備特點
離子注入設備具有以下幾個顯著特點:
精確控制:離子注入技術可以精確控制摻雜離子的種類、數(shù)量、深度和橫向分布,滿足集成電路制造中對摻雜精度的要求。
低溫處理:與傳統(tǒng)的熱擴散工藝相比,離子注入技術可以在較低的溫度下進行,避免了高溫處理對半導體材料性能的影響。
廣泛應用:離子注入技術不僅應用于半導體制造領域,還擴展到金屬材料表面改性、薄膜制備等多個領域。
4 技術參數(shù)和特點:
基板尺寸:Max200mm
大能量:2400 keV
枚葉式
可對應薄片Wafer
平行Beam