深愛(ài)MOS管正確選擇的步驟
正確選擇深愛(ài)MOS管是很重要的一個(gè)環(huán)節(jié)，MOS管選擇不好有可能影響到整個(gè)電路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的細(xì)微差別及不同開(kāi)關(guān)電路中的應(yīng)力能夠幫助工程師避免諸多問(wèn)題，下面我們來(lái)學(xué)習(xí)下MOS管的正確的選擇方法。 第一步：選用N溝道還是P溝道 為設(shè)計(jì)選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)MOS管接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí)，該MOS管就構(gòu)……
低壓MOS管的工作原理
低壓MOS管是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時(shí)，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的空穴密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。如果N型硅襯底表面……
普通電阻與精細(xì)電阻的區(qū)別在哪里呢
在一定的溫度范圍內(nèi),精細(xì)電阻的誤差要比普通電阻的誤差小很多.也就是說(shuō)制造精細(xì)電阻的資料溫度穩(wěn)定性要高于普通電阻的資料.那么普通電阻能替代精細(xì)電阻嗎?下面我們給大家分享一下吧.電阻在電路中的應(yīng)用普通是限流和分壓,限流局部不用思索精細(xì)電阻,分壓局部可分二種:1、電壓的精度對(duì)后繼電路影響不太大,此處分壓電阻用普通的.2、電壓的精度對(duì)后繼電路影響極大,此處分壓電阻用高精度的.當(dāng)然,不掃除個(gè)別設(shè)計(jì)人員不思索……
功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡(jiǎn)介
功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價(jià)值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設(shè)計(jì)的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個(gè)重要方面：降 低損耗zui優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇有效的散熱通過(guò)機(jī)電元件集成來(lái)小系統(tǒng)體積我還將演示如何與T合作，使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)這四個(gè)方面，幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值首先，讓我們來(lái)定義功率密度，井著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時(shí)的細(xì)節(jié)什么是功率度?……
功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡(jiǎn)介
功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價(jià)值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設(shè)計(jì)的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個(gè)重要方面：將低損耗zui優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇有效的散熱通過(guò)機(jī)電元件集成來(lái)小系統(tǒng)體積首先，讓我們來(lái)定義功率密度，井著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時(shí)的細(xì)節(jié)什么是功率度?對(duì)于電源管理應(yīng)用程序而，功率度的定義似乎非 常簡(jiǎn)單:它指的是轉(zhuǎn)換器的額定(或標(biāo)稱)輸出功率除以……
PD18W EMC整改歷程
根據(jù)開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生共模、差模干擾的特點(diǎn)，將整個(gè)頻率范圍劃分為3個(gè)部分：即0.15-0.5MHz 差模干擾為主；0.5-5MHz 差、共模干擾共存；5-30MHz 共模干擾為主。重典注意的是，濾波器件應(yīng)該遠(yuǎn)離變壓器、散熱器，否則很容易跳過(guò)濾波電路，直接耦合到L,N線導(dǎo)致EMI超標(biāo)。一． 1MHZ 以內(nèi)，以差模干擾為主。（整改建議）1. 增大 X 電容量；2. 添加差模電感；3. 小功率電源可采用 PI……
新潔能半導(dǎo)體產(chǎn)品的應(yīng)用范圍
無(wú)錫新潔能專注從事半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)與銷售。目前公司主要產(chǎn)品包括：12V~200V溝槽型功率MOSFET（N溝道和P溝道）、30V~300V屏蔽柵功率MOSFET（N溝道和P溝道）、500V~900V超結(jié)功率MOSFET、600V~1350V溝槽柵場(chǎng)截止型IGBT，相關(guān)核心技術(shù)已獲得多項(xiàng)專利授全，四大系列產(chǎn)品均獲得江蘇省高新技術(shù)產(chǎn)品認(rèn)定。公司產(chǎn)品憑借低損耗、高可靠性品質(zhì)，已成功進(jìn)入汽車電子、電機(jī)……
深愛(ài)MOS管的這些優(yōu)勢(shì)你不清楚
高頻開(kāi)關(guān)電源可以節(jié)省傳統(tǒng)整流器的調(diào)壓器和主變的損耗，節(jié) 能在35%以 上，大大的減輕了電鍍成本，實(shí)為表面處理行業(yè)很理智的選擇，其可以帶負(fù)載開(kāi)關(guān)機(jī)，減少調(diào)節(jié)的繁瑣程序，具有體積小、重量輕的特點(diǎn)。深愛(ài)MOS管場(chǎng)效應(yīng)管常應(yīng)用于高頻開(kāi)關(guān)電源的生產(chǎn)中。但是隨著行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)逐漸增強(qiáng)，高頻開(kāi)關(guān)電源的廠家紛紛尋找零部件的代替品，從而降低生產(chǎn)成本，提 高競(jìng)爭(zhēng)力。而被廠家公 認(rèn) 可以完 美替代SPP20N60C3場(chǎng)效應(yīng)管……
深愛(ài)MOS管開(kāi)關(guān)小電流發(fā)熱分析
小電流深愛(ài)MOS管發(fā)熱分析mos管，做電源設(shè)計(jì)，或者做驅(qū)動(dòng)方面的電路，難免要用到MOS管。深愛(ài)MOS管有很多種類，也有很多作用。做電源或者驅(qū)動(dòng)的使用，當(dāng)然就是用它的開(kāi)關(guān)作用。無(wú)論N型或者P型深愛(ài)MOS管，其工作原理本質(zhì)是一樣的MOS管是由加在輸入端柵及的電壓來(lái)控制輸出端漏及的電流深愛(ài)MOS管是壓控器件它通過(guò)加在柵及上的電壓控制器件的特性，不會(huì)發(fā)生像三及管做開(kāi)關(guān)時(shí)的因基及電流引起的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，因此……
萬(wàn)用表使用NCE低壓MOS的效果
如何快速判斷NCE低壓MOS管引腳功能的好壞1）用10K檔，內(nèi)有15伏電池。可提供導(dǎo)通電壓。2）因?yàn)闁艠O等效于電容，與任何腳不通，不論N管或P管都很容易找出柵極來(lái)，否則是壞管。3）利用表筆對(duì)柵源間正向或反向充電，可使漏源通或斷，且由于柵極上電荷能保持，上述兩步可分先后，不必同步，方便。但要放電時(shí)需短路管腳或反充。4）大都源漏間有反并二極管，應(yīng)注意，及幫助判斷。5）大都封莊為字面對(duì)自已時(shí)，左柵中漏右……
強(qiáng)茂二極管的特性與應(yīng)用
眾所周知幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導(dǎo)體二極管，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生zui早的半導(dǎo)體器件之一，其應(yīng)用也非常廣泛。強(qiáng)茂二極管的工作原理 晶體二極管為一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于p-n 結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界……
NCE低壓MOS管電路原理解析
1，NCE低壓MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管型號(hào)和增強(qiáng)型的P溝道MOS管型號(hào)，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問(wèn)底。對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開(kāi)關(guān)電源和……
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