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硅 Silicon ET-2030 高速 硅光电探测器 ＞１.２ＧＨｚ 美国EOT
[PDF]
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E80040619
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材料：Silicon
上升／下降时间：＜３００ｐｓ／＜３００ｐｓ；
响应度：０.４７Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；
带宽：＞１.２ＧＨｚ；
有效面积直径：０.４ｍｍ；
输出连接：BNC
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带宽(Hz):
>1.2 GHz |
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硅 Silicon 带放大高速光电探测器 ET-2030A 美国EOT
[PDF]
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E80040618
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材料：Silicon硅
上升／下降时间：＜５００pｓ／＜５００ｐｓ；
转换增益：450 V/W ＠830 nm
带宽：30 kHz to 1.2 GHz
有效面积直径：４００ｕｍ；
输出连接：ＢＮＣ
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带宽(Hz):
30 kHz-１.2 GHz |
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硅 Silicon ET-2040 硅光电探测器 ＞25MＨz 美国EOT
[PDF]
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E80040617
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材料：Silicon
上升／下降时间：＜３０nｓ／＜３０nｓ；
响应度：０.６Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；
带宽：＞２５ＭＨｚ；
有效面积直径：４.５７ｍｍ；
输出连接：BNC
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带宽(Hz):
>25 MHz |
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硅 Silicon ET-2060 - 硅光电探测器 >1.1 GHz 美国EOT
[PDF]
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E80040616
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材料：Silicon
上升／下降时间：＜３２０ｐｓ／＜３２０ｐｓ；
响应度：０．４７Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；
带宽：＞１．１ＧＨｚ；
有效面积直径：０．４ｍｍ；
输出连接：BNC；
工作温度：-20 - 50℃；
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带宽(Hz):
>1.1 GHz |
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硅 Silicon ET-2070 - 硅光电探测器 >118 MHz 美国EOT
[PDF]
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E80040615
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材料：Silicon；
上升／下降时间：＜3ns／＜3ns；
响应度：0.56A／Ｗ＠830ｎｍ；
带宽：＞118MHz；
有效面积直径：2.55ｍｍ；
输出连接：BNC
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带宽(Hz):
118 MHz |
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铟镓砷 InGaAs ET-3000 InGaAs 铟镓砷光电探测器 >2 GHz 美国EOT
[PDF]
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E80040602
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材料：铟镓砷
上升／下降时间：＜175ps / ＜175ps；
响应度： 0.9A/ W@1300nm；
带宽：＞２ＧＨｚ；
有效面积直径：100um；
输出连接：BNC；
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带宽(Hz):
>2 GHz |
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铟镓砷 InGaAs 放大光电探测器 ET-3000A 美国EOT
[PDF]
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E80040613
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材料：InGaAs
上升／下降时间：＜４００pｓ／＜４００ｐｓ；
转换增益：900 V/W ＠1300 nm
带宽：30 kHz to １.５GHz
有效面积直径：１００ｕｍ；
输出连接：ＢＮＣ
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带宽(Hz):
30 kHz-１.５GHz |
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铟镓砷 InGaAs ET-3010 光电探测器 >2 GHz 美国EOT
[PDF]
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E80040601
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材料：InGaAs
上升／下降时间：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ；
响应度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ；
带宽：＞２ＧＨｚ；
有效面积直径：１００ｕｍ；
输出连接：BNC
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带宽(Hz):
>2 GHz |
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铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3500, >15 GHz 美国EOT
[PDF]
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E80040614
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材料：InGaAs
上升／下降时间：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ；
响应度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ；
带宽：＞１５ＧＨｚ；
有效面积直径：３２ｕｍ；
输出连接：ＳＭＡ
光纤连接 不适用
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带宽(Hz):
＞15 GHz |
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铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-3500A 美国EOT(停产)
[PDF]
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E80040612
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材料：InGaAs
上升／下降时间：＜35ps／＜35ps；
带宽：20 kHz 至 10 GHz；
有效面积直径：３２ｕｍ；
输出连接：ＳＭＡ；停产
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带宽(Hz):
＞15 GHz |
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铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-3500AF 美国EOT(已停产下架)
[PDF]
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E80040609
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材料：InGaAs
上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ；
转换增益：1620 V/W ＠1310 nm
带宽：20 kHz to 10 GHz
有效面积直径：３２ｕｍ；
输出连接：ＳＭＡ
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带宽(Hz):
20 kHz-10 GHz |
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铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3500F, >15 GHz 美国EOT
[PDF]
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E80040608
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材料：InGaAs
上升／下降时间：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ；
响应度：０.６５Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ；
带宽：＞１５ＧＨｚ；
有效面积直径：３２ｕｍ；
输出连接：ＳＭＡ
光纤连接 FC/UPC；SMF28e
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带宽(Hz):
＞15 GHz |
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铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3600, >22 GHz 美国EOT
[PDF]
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E80040607
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材料：InGaAs；
上升／下降时间：＜16ps ／＜16ps；
响应度：0.7A／Ｗ＠1300ｎｍ；
带宽：＞22ＧＨｚ；
有效面积直径：20ｕｍ；
输出连接：SMA ；
光纤连接 不适用
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带宽(Hz):
>22 GHz |
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铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3600F, >22 GHz 美国EOT
[PDF]
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E80040606
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材料：InGaAs
上升／下降时间：＜16pｓ／＜16ｐｓ；
响应度：０.7Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ；
带宽：＞22ＧＨｚ；
有效面积直径：20ｕｍ；
输出连接：ＳＭＡ
光纤连接 FC/UPC、SMF28e
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带宽(Hz):
>22 GHz |
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砷化镓 GaAs 高速光电探测器 ET-4000, >12.5 GHz 美国EOT
[PDF]
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E80040620
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材料：GaAs
上升／下降时间：＜３０pｓ／＜３０ｐｓ；
响应度：０.５３Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；
带宽：＞１２．５ＧＨｚ；
有效面积直径：６０ｕｍ；
输出连接：ＳＭＡ
光纤连接c 不适用
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带宽(Hz):
＞12.5 GHz |
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砷化镓 GaAs 带放大光电探测器 ET-4000A 美国EOT
[PDF]
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E80040622
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材料：GaAs ；
上升／下降时间：＜35ps ／＜35ps ；
转换增益：1340 V/W ＠ 850 nm
带宽：20 kHz to 10 GHz
有效面积直径：60um；
输出连接：SMA
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带宽(Hz):
20 kHz-10 GHz |
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砷化镓 GaAs 带放大光电探测器 ET-4000AF美国EOT（已经停产）
[PDF]
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E80040621
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材料：GaAs
上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ；
转换增益：９７０V/W ＠ 850 nm
带宽：20 kHz to 10 GHz
有效面积直径：６０ｕｍ；
输出连接：ＳＭＡ
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带宽(Hz):
20 kHz-10 GHz |
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砷化鎵 GaAs 高速光电探测器 ET-4000F, >12.5 GHz 美国EOT
[PDF]
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E80040605
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材料：GaAs
上升／下降时间：＜３０pｓ／＜３０ｐｓ；
响应度：０.３８Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；
带宽：＞１２．５ＧＨｚ；
有效面积直径：６０ｕｍ；
输出连接：ＳＭＡ
光纤连接 FC/UPC、SMF28e
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带宽(Hz):
＞12.5 GHz |
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铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000, >10 GHz 美 国EOT
[PDF]
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E80040604
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材料：InGaAs
上升／下降时间：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ；
响应度：１．３Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ；
带宽：＞１０ＧＨｚ；
有效面积直径：４０ｕｍ；
输出连接：ＳＭＡ
光纤连接；不适用
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带宽(Hz):
＞10 GHz |
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铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-5000A 10 GHz 美国EOT（已经停产）
[PDF]
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E80040611
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材料：InGaAs
上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ；
转换增益：3250 V/W ＠2000 nm
带宽：20 kHz to 10 GHz
有效面积直径：４０ｕｍ；
输出连接：ＳＭＡ
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带宽(Hz):
20 kHz-10 GHz |
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铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-5000AF 砷化镓 (已停产下架)
[PDF]
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E80040610
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材料：InGaAs
上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ；
转换增益：２３５０ V/W ＠2000 nm
带宽：20 kHz to 10 GHz
有效面积直径：４０ｕｍ；
输出连接：ＳＭＡ
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带宽(Hz):
20 kHz-10 GHz |
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铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000F, >10 GHz 美国EOT
[PDF]
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E80040603
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材料：InGaAs
上升／下降时间：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ；
响应度：0.9Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ；
带宽：＞１０ＧＨｚ；
有效面积直径：４０ｕｍ；
输出连接：ＳＭＡ
光纤连接；FC/UPC
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带宽(Hz):
＞10 GHz |
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营业执照