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  • 爱斯ACE干热灭菌指示剂,深圳专业销售干热灭菌生物指示剂价格

    爱斯ACE干热灭菌指示剂,深圳专业销售干热灭菌生物指示剂价格

    干热灭菌生物指示剂:用于测定干热灭菌器对细菌芽孢的杀灭能力,以验证其灭菌性能是否符合原设计规定及干热灭菌效果的生物监测。如果灭菌处理不完全,30-37℃培养时,残存的芽孢遇到培养液(pH 指示药)则繁殖,代谢成酸 pH 值降低,培养液颜色由红变成黄色。注意点 使用前确
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    2022-04-15
  • 宁波专业销售爱斯ACE干热灭菌生物指示剂

    宁波专业销售爱斯ACE干热灭菌生物指示剂

    干热灭菌生物指示剂:用于测定干热灭菌器对细菌芽孢的杀灭能力,以验证其灭菌性能是否符合原设计规定及干热灭菌效果的生物监测。干热灭菌生物指示剂H6302K由枯草杆菌黑色变种芽孢(ATCC9372)菌片(载体为玻璃纤维,耐高温)密封在玻璃管内的生物指示剂。产品名称:干热灭菌生
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    2022-04-12
  • 西安供应GT涡轮震动器 品质保证

    西安供应GT涡轮震动器 品质保证

    安装振动器之前应确定安装位置是仔细选择过的,以保证最佳工作效果安装面必须干净、平坦。非平整安装面会由于振动器本体的扭振使振动器工作不正常。振动器的安装应尽可能使其涡轮的转动方向对物料的流动有支持作用。进气方向可以很容易地确定正确的安装位置。气动涡轮振动器
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    2022-03-16
  • 当前城市信息不足,为您推荐其它城市【仪器/仪表】信息
  • igbt静态性能测试设备

    igbt静态性能测试设备

    普赛斯igbt静态性能测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询18140663476 测试项目 集
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    2024-10-15
  • IC芯片电特性测试数字源表

    IC芯片电特性测试数字源表

    IC芯片电特性测试数字源表认准生产厂家武汉普赛斯仪表,普赛斯S系列、P系列源表标准的SCPI指令集,Y秀的性价比,良好的售后服务与技术支持,详询一八一四零六六三四七六;普赛斯仪表是手家国产数字源表生产厂家,产品已经历3年迭代完善,对标2400、2450、2611、2601B、2651
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    2024-10-15
  • wat半导体参数测试设备_晶圆片检测仪

    wat半导体参数测试设备_晶圆片检测仪

    SPA-6100wat半导体参数测试设备_晶圆片检测仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统,具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试,旨在帮助加快前沿材
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    2024-10-10
  • 晶体管特性图示仪iv+cv曲线扫描仪

    晶体管特性图示仪iv+cv曲线扫描仪

    晶体管特性图示仪iv+cv曲线扫描仪优势: IV、CV一键测;一体机,支持远程指令控制;支持三同轴接探针台 能够覆盖从材料、晶圆、器件到模块的测试;详询一八一四零六六三四七六; 产品特点: 30μV-1200V,1pA-100A宽量程测试能力; 测量精度高,全量程下可
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    2024-09-24
  • 霍尔传感器响应时间测试大电流源15us超快上升沿

    霍尔传感器响应时间测试大电流源15us超快上升沿

    HCPL100霍尔传感器响应时间测试大电流源特点和优势: 50~500us的脉冲宽度连续可调; 15us的超快上升沿; 同步测量电压; 单台最大可达1000A输出; 可极性反转; 0.1%测试精度;详询一八一四零六六三四七六 应用领域 肖特基二极管 整流
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    2024-09-24
  • 半导体电学参数测试设备iv+cv曲线扫描仪

    半导体电学参数测试设备iv+cv曲线扫描仪

    半导体电学参数测试设备iv+cv曲线扫描仪特点: 30μV-1200V,1pA-100A宽量程测试能力; 测量精度高,全量程下可达0.03%精度; 内置标准器件测试程序,直接调用测试简便; 自动实时参数提取,数据绘图、分析函数; 在CV和IV测量之间快速切换而无需重新布
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    2024-09-24
  • 霍尔传感器测试系统霍尔延时响应测试设备

    霍尔传感器测试系统霍尔延时响应测试设备

    霍尔传感器测试系统霍尔延时响应测试设备简介 电流传感器测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量各种电流传感器(霍尔电流传感器、罗氏线圈、皮尔森线圈等)的静态与动态参数,单台大电流源电流可高达1000A。该系统可测量不同电流传感器的静态与动态参数,具有大
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    2024-09-24
  • 高压+半导体静态参数测试仪

    高压+半导体静态参数测试仪

    高压+半导体静态参数测试仪特点 高电压:支持高达3.5KV高电压测试(Z大扩展至10kV); 大电流:支持高达6KA大电流测试(多模块并联); 高精度:支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测试; 丰富模板:内置丰富的测试模板,方便用户快速配置测试参数; 配置导出:支持一键导出
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    2024-09-24
  • 半导体静态参数测试仪+功率器件测试设备

    半导体静态参数测试仪+功率器件测试设备

    普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和
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    2024-09-24
  • 脉冲IV特性测试数字源表

    脉冲IV特性测试数字源表

    PXOOB系列脉冲源表是普赛斯在直流源表的基础上新打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表,汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能,Z大脉冲输出电流达30A,Z大输出电压达300V,支持四象限工作,因此能广泛的应用于各种电气特性测试中。PXOOB系列源表适用于各行各业使用者
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    2024-09-24
  • 直流特性IV曲线SMU数字源表

    直流特性IV曲线SMU数字源表

    普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体,支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下nA级测量、1000A脉冲大电流输出,全系列产品丰富,新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表,相比于传统S系列源表,准确度提升至±0.03%
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    2024-09-24
  • 大功率分立器件测试设备静态参数分析仪

    大功率分立器件测试设备静态参数分析仪

    普赛斯分立器件静态测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,电压可高达10KV,电流可高达6KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,pA级电流精准
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    2024-09-24
  • 国产SMU数字源表高精密IV曲线扫描仪

    国产SMU数字源表高精密IV曲线扫描仪

    国产SMU数字源表高精密IV曲线扫描仪认准生产厂家武汉普赛斯仪表,普赛斯S系列源表标准的SCPI指令集,U秀的性价比,良好的售后服务与技术支持,详询一八一四零六六三四七六 数字源表基本功能 集多种功能为一体的精密测量仪器,主要是测量电气性能 SMU可以当电源,
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    2024-09-24
  • CV测试系统_CV测试仪_提供0V~3500V偏压范围

    CV测试系统_CV测试仪_提供0V~3500V偏压范围

    CV测试系统主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz,源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置,通过矩阵开关加载在待测件上,内置自动化CV测试软件,包含C-V(电容-电压),C-T(电容-时间),C-F(电容-频率)等多项测试测试功能;详
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    2024-09-24
  • 半导体器件iv曲线测试仪半导体器件测试设备

    半导体器件iv曲线测试仪半导体器件测试设备

    半导体分立器件泛指二极管、三极管等具有单一功能的半导体元器件,用于电力电子设备的整流、稳压、开关、混频等电路中,是构成电力电子变化装置的核心器件之一,在消费电子、汽车电子、电子仪器仪表、工业及自动化控制、计算机及周边设备、网络通讯等众多国民经济领域均有广
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    2024-09-24
  • 功率半导体测试电源高压程控电源

    功率半导体测试电源高压程控电源

    功率半导体测试电源高压程控电源具有输出及测量电压高(3500V)、能输出及测量微弱电流信号(1nA)的特点。设备工作在第一象限,输出及测量电压0~3500V,输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式,同时支持丰富的I-V扫描模式。详询18140663476最大输出功率:350W,3500
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    2024-09-24
  • IGBT|SiC功率半导体器件测试设备

    IGBT|SiC功率半导体器件测试设备

    PMST系列IGBT|SiC功率半导体器件测试设备是武汉普赛斯正向设计、精益打造的高精密电压/电流测试分析系统,是一款能够提供IV、 CV、跨导等丰富功能的综合测试系统,具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势,旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGB
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    2024-09-24
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