第五代A系列

采用CSTBTTM硅片技术饱和压降低、短路承受能力强、驱动功率小比同等级其他沟槽型IGBT电流输出能力高10%，在相同输出电流时ΔT(j-f)低15% 成本优化的封装内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层，热阻小模块内部寄生电感小功率循环能力显著改善
 
产品型号  参数说明
CM400HA-24A  1单元，400A/1200V
CM600HA-24A  1单元，600A/1200V
CM600HB-24A  1单元，600A/1200V
CM100DY-24A  2单元，100A/1200V
CM150DY-24A  2单元，150A/1200V
CM200DY-24A  2单元，200A/1200V
CM300DY-24A  2单元，300A/1200V
CM400DY-24A  2单元，400A/1200V
CM600DY-24A  2单元，600A/1200V
CM75DY-34A   2单元，75A/1700V
CM100DY-34A  2单元，100A/1700V
CM150DY-34A  2单元，150A/1700V
CM200DY-34A  2单元，200A/1700V
CM300DY-34A  2单元，300A/1700V
CM400DY-34A  2单元，400A/1700V

发布时间：2024-11-18 09:38:23

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